Logo
IGBT транзисторы. Справочник
   
 
По марке
10N40C1D .. APT20GT60BR
APT20GT60BR .. APTGF15X120E2
APTGF15X60BTP2 .. APTGT35H120T3
APTGT35SK120D1 .. FGH50N3
FGH60N60SF .. GT20J311
GT20J321 .. HGT1S5N120CNS
HGT1S7N60A4DS .. HGTP2N120CND
HGTP3N60A4 .. IKW40N60H3
IKW40T120 .. IRG4RC10UD
IRG4RC20F .. IXA37IF1200HJ
IXA40PG1200DHGLB .. IXGA7N60CD1
IXGA8N100 .. IXGH32N60BD1
IXGH32N60BU1 .. IXGN200N60A2
IXGN200N60B .. IXGT15N120B2D1
IXGT15N120BD1 .. IXSH10N120AU1
IXSH10N60B2D1 .. KGT12N120NDH
KGT15N120KDA .. MIXA20WB1200TED
MIXA20WB1200TED .. MWI50-12T7T
MWI60-06G6K .. SGB02N60
SGB04N60 .. SKD40GAL123D
SKD75GAL123D .. SMBH1G100US120
SMBH1G100US60 .. STGP10N60L
STGP10NB37LZ .. VWI35-06P1
 
Справочные данные IGBT транзисторов. Аналоги. Основные параметры и характеристики
 



 Для поиска введите не менее 3 букв или цифр!

IGBT транзистор 1MBH50D-060 (1МБХ50Д-060 ). Параметры и характеристики. Описание. Даташит.

Поиск PDF даташита для 1MBH50D-060

Марка транзистора: 1MBH50D-060 (1МБХ50Д-060 )

Тип управляющего канала IGBT транзистора: N-Channel

Предельная постоянная рассеиваемая мощность (Pc) транзистора: 310W W

Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) IGBT транзистора: 600V V

Коллектор-эмиттер, напряжение насыщения (Ucesat): 3V V

Предельное напряжение затвор-эмиттер (Ueg): 20V V

Предельный ток коллектора транзистора (Ic): 82A A

Предельная температура (Tj): 150 C

Время нарастания: 1200 nS
Warning: : failed to open stream: No such file or directory in /var/www/admin/www/tranzistor.biz/igbt/tranzistor.php on line 39

Выходная емкость (Cс), Пф:

Тип корпуса: TO3PL

Аналоги и замена для 1MBH50D-060 IGBT

Смотрите также параметры транзисторов: 20N35GVL , 20N60C3DR , 20N60C3R , 27N60C3DR , 27N60C3R , 2N6975 , 2N6976 , 2N6977 , 2N6978 , 2PG352 , 2PG401 , 2SH11 , 2SH15 , 2SH17 , 2SH21 , 2SH30 , 40N60C3R , APT12GT60BR , APT20GF120BR , APT20GT60BR , APT30GT60CR , APT40GF120JRD , APT50GF120B2R , APT50GF60BR , APT60GT60BR , APT60GT60JRD , CM75DY-28H , CT20ASL-8 , CT25AS-8 , CT60AM-18B , CY20AAJ-8 , G10N40 , G10N50C1 , G12N40C1 , G12N50C1 , G40N60B3 , G6N50E1D , GA100TS60U , GA150TD120U , GA500TD60U , GA600GD25S , GT10Q301 , GT15N101 , GT20D101 , GT20J311 , GT25Q301 , GT30J311 , GT50J322 , GT50M101 , GT5G101 , GT5G102LB , GT8G101 , HGT1S11N120CNS , HGT1S12N60B3D , HGT1S12N60B3S , HGT1S12N60C3DRS , HGT1S12N60C3S9A , HGT1S14N36G3VL , HGT1S20N60C3R , HGT1S2N120CNDS , HGT1S3N60B3S , HGT1S5N120CNDS .

(C) 2005 All Right reserved Биполярные || MOSFET || IGBT || Сайты производителей || Типы корпусов